VIBRO VB-430通信接口模塊
由控制器IC產(chǎn)生同步整流的時序，從而節(jié)省外部器件和成本。
4.內(nèi)置保護(hù)，因此不需要監(jiān)視輸出的故障情況，微處理器就有空間來執(zhí)行其他任務(wù)。充電模式的電源框圖如圖5所示。模擬反饋回路使用輸出電壓調(diào)節(jié)控制IC相移。另外，微控制器測量電池的充電電壓和電流并修改模擬反饋回路調(diào)整到所需水平。因此它是一種混合數(shù)字控制的模擬反饋回路。這種配置提供模擬回路穩(wěn)定性和失效安全的操作優(yōu)勢，同時兼具微處理器微調(diào)控制的多功能性和調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度。
VIBRO VB-430通信接口模塊為了將圖5改成雙向電路，微處理器需要接管“輸出”側(cè)的同步整流FET的控制，并使用大電流濾波器電感來形成一個電流饋電的推挽升壓轉(zhuǎn)換器。在電流饋電拓?fù)渲?，流?jīng)變壓器繞組的電流絕不能降為零，因此QA和QB需同時接通和交替斷開。
電源電流IL受電感限制。在初級繞組上（現(xiàn)在為次級），將以等于匝數(shù)比的峰值電壓生成階躍輸出。在先前的變壓器初級側(cè)，微控制器停用了PSFB控制器，初級側(cè)晶體管未被驅(qū)動。然而SiC晶體管同時包含一個體二極管和一個續(xù)流二極管，所以變壓器繞組產(chǎn)生的電壓將經(jīng)過無源全波整流，然后將輸出存儲在PFC電容里。額外的電壓反饋回路能讓微控制器調(diào)節(jié)反向電流。
這種拓?fù)涞淖畲髢?yōu)點(diǎn)是它的結(jié)構(gòu)簡單，所有主要器件同時用在正向和反向電流。與許多其他完全對稱的雙向設(shè)計(jì)相比大幅降低了成本，因?yàn)閷ΨQ配置采用雙有源橋（DAB），除了變壓器以外每一側(cè)還有四個開關(guān)晶體管和兩個功率電感。
必須注意的是即使有外部二極管并聯(lián)，初級側(cè)開關(guān)晶體管也需要堅(jiān)固的體二極管作為無源整流器。這種方式只能使用SiC或IGBT晶體管，因?yàn)镾i-MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)可能會因閂鎖效應(yīng)而失效。
功率因素校正級
超過75W功率的單相市電電源需要功率因數(shù)校正。最簡單的有源拓?fù)涫褂蒙龎恨D(zhuǎn)換器將整流后的市電輸入提高至超過峰值輸入電壓，讓進(jìn)入PFC電容的電流成為連續(xù)電流并與正弦輸入電壓同步，以使功率因數(shù)接近于1該電路有兩個主要問題：D1-D5顯示該電路是單向的，二極管橋和升壓轉(zhuǎn)換器中的損耗可能很大。但是對FBPS和許多諧振功率級來說相對穩(wěn)定的直流總線電壓是先決條件，因?yàn)樗鼈儫o法適應(yīng)較寬的輸入電壓范圍。
針對大功率設(shè)計(jì)，廣泛采用的是圖騰柱無橋PFC拓?fù)?。圖騰柱這個名字來自美洲印第安人，他們在樹干上雕刻各種神靈和強(qiáng)大酋長的圖像以抵御邪靈并為部落帶來好運(yùn)。由于這些雕刻圖像在垂直的桿上堆疊，因此這個名稱也適合形容框圖里的垂直堆疊晶體管。
CAV is about 4uf. The second is to adopt the method of post filter, which can be a first-order or a second-order filter. It should be explained here that the CAV value should be selected by experiment in use, because the DC error depends on the CAV value and is not affected by the subsequent filter.
4 Comparison between th-lcd tester and 3200 LCD testerIn actual measurement, the frequency of LCD driving voltage signal is generally 128Hz, and the sampling period is 7.8ms. While the average duration of the measured voltage waveform of the LCD sample is slightly less than 10us, the duty cycle of the current sampling pulse voltage of the sample η＜ 0.01, so the measured value of RMS is about ten times that of mad. If the sample to be tested is a resistive load, the measured value of RMS is approximately equal to the measured value of mad.
Table 2 Comparison of two test methods
Table 2 is a comparison of the two test methods. Here, the American 3200 LCD tester measures the mad value of the sample; Th-lcd tester measures the RMS value of the sample;
